سری رزونانس پهن باند و فاکتور کیفیت

پهنای باند و Q معمولاً برای مدارهای تشدید قابل استفاده هستند، نه تنها برای آنتن ها. Q معیاری برای کیفیت یک مدار تشدید است. این فاکتور کیفیت مربوط به پهنای باند باریک است که معمولاً در مدارهای تشدید ایده آل است.

اگر مدار تشدید دارای اجزای راکتانس و مقاومت باشد، Q نسبت توان ذخیره شده به توان تلف شده است:

Q=P STORED / P DSSIPATED=I 2 X / I 2 R

ساده کردن:

Q = X / R

جایی که X{0}}راکتانس خازنی یا القایی

و مقاومت سری R=

معادله Q برای هر دو قابل استفاده استرزونانس سری (همچنین به عنوان تشدید فرکانس متغیر سری نیز شناخته می شود)و مدارهای تشدید موازی، که در آن یک مقاومت به صورت سری به یک سلف متصل می شود. از آنجایی که X در مولکول است، هر چه راکتانس بزرگتر باشد، Q بیشتر است. چون R در مخرج است، مقاومت بیشتر به معنای Q کمتر است. از آنجایی که من مربع هستم، در معادلات مشابه مهم است، اما در اینجا هم در صورت و هم در مخرج ظاهر می‌شود، Q را لغو می‌کند و بر Q تأثیر نمی‌گذارد یا بالعکس بر پهنای باند مدار تأثیر می‌گذارد.

در فرکانس تشدید، ظرفیت خازنی و اندوکتانس برابر هستند و یکدیگر را خنثی می کنند. جزء مقاومت شامل امپدانس مدار است. مقاومت کمتر Q بالاتر و پهنای باند کمتر تولید می کند.

در طول تشدید، امپدانس در مدار تشدید موازی حداکثر است. بالاتر یا کمتر از رزونانس، امپدانس کاهش می یابد. در طول تشدید، امپدانس در aسریال طنین اندازمدار به حداقل می رسد بالاتر یا کمتر از رزونانس، امپدانس افزایش می یابد. هنگامی که مقاومت کاهش می یابد، این اثرات بارزتر می شوند و در نتیجه ضریب Q بالاتر و پهنای باند کمتری ایجاد می شود.

By connecting the RLC resonant circuit to an arbitrary function generator sine wave at the input, these effects can be demonstrated. Using a potentiometer can change the resistance. Detect the output and connect it to the analog input channel of the oscilloscope. Change the frequency of the AFG sine wave to find resonance. If necessary, please replace the capacitor. Display the circuit output in the frequency domain using Math>FFT سپس R را با چرخاندن پتانسیومتر تغییر دهید تا تأثیر Q و پهنای باند را مشاهده کنید.